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HAT2165N
- 制造厂商:Adesto(先后被Dialog及瑞萨电子收购)
- 类别封装:单端场效应管,8-LFPAK-iV
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
- (专注销售Adesto电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
HAT2165N参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:HAT2165N
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):55A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 27.5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5180pF @ 10V
- 功率 - 最大值:30W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
- 供应商器件封装:8-LFPAK-iV
- HAT2165N的官网价格:0,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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